C-43(4寸)高精度单面光刻机

主要用途

主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件、薄膜电路、电力电子器件的研制和生产。

由于本机有特殊的找平机构，使本机不仅适合硅片、玻璃片、陶瓷片、铜片、不锈钢片、宝石片的曝光，而且也适用非圆形基片和小型基片的曝光。

工作方式

本机为一次性光刻曝光

主要技术指标

1、配置一件承片台。（承片台具体尺寸可根据用户需求制造）

2、曝光头（采用高均匀性多点光源、蝇眼、LED、曝光头）

＊出射光斑≤110mm；350W（高压直流汞灯）

＊光的不均匀性在φ100mm范围内≤±3%

＊实现真空密着的条件下，曝光最小分辨率为1μm

＊光的强度可通过可变光栏大小进行调节，曝光时间，通过0.1~999.9秒时间继电器设定

＊汞灯位置调节可通过精密的x、y、z调节装置调节，调节量为x向±5毫米、y向±5毫米、z向±5毫米

＊具有风扇冷却装置

3、分辨率≥1μm

4、具备真空吸片功能

5、具有真空密着和反吹气的功能，通过调节密着真空的大小可以实现硬接触曝光（密着真空≤-0.05 Mpa）、软接触曝光(密着真空在-0.05Mpa～-0.02Mpa之间)和微力接触曝光（密着真空≥-0.02Mpa）。

主要配置：

＊蝇眼曝光头：1台曝光类型：一次性曝光

＊曝光面积：≥φ100mm

＊曝光不均匀性：≤±3%

＊曝光强度：≤20mw

＊曝光分辨率：≤1μm

＊曝光模式：单面曝光

＊掩膜尺寸：3″、4″、5″

＊基片尺寸：φ2″、φ3″、φ4″

＊基片厚度：≤5 mm

＊曝光灯功率：350W

＊曝光定时：0～999.9秒可调

＊电源：单相AC 220V 50Hz功耗≤1kW

＊洁净压缩空气压力：≥0.4Mpa

＊真空度：-0.07Mpa～-0.09Mpa

＊尺寸：长700mm×宽650mm×高1200mm

＊重量：～110kg

 


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